Microscopia Eletrônica-MEV

O Centro de Pesquisas possui, dentre os mais de 120 laboratórios distribuídos pelo campus, a área de Microscopia Eletrônica, onde é capacitado para realização análises em metais, polímeros, compósitos e matéria orgânica.

O MEV possui os seguintes sensores: SE, LE BSE, GSD e EDS. Abaixo está uma breve explicação do que cada sensor pode avaliar:

SE - O detector SE é um detector padrão básico para imagens topográficas (detecta elétrons secundários). Utiliza alto vácuo para realizar a varredura.

LE BSE - O detector LE BSE é um detector de elétrons retroespalhado, para detecção da diferença do número atômico dos elementos químicos em função do contraste na amostra analisada. Utiliza alto ou baixo vácuo para realizar a varredura.

GSD - Este é um detector de elétrons secundários, especialmente projetado para o modo de vácuo baixo. É adequado para a investigação de amostras não condutoras sem necessidade de revestimento de superfície condutiva. O baixo vácuo também pode ser necessário para não colapsar amostras biológicas com a pressão da câmara.

EDS - O detector TESCAN EDS (Energy-Dispersive X-ray Spectrometry) é uma ferramenta micro analítica usada para separar os raios-x característicos de diferentes elementos em um espectro de energia. Ou seja, este sensor realiza a análise de composição química semiquantitativa. O elemento químico será identificado, mas não pode ser considerada uma análise quantitativa conclusiva no quesito proporção do elemento.

As especificações técnicas do equipamento podem ser encontradas neste link (precisa criar essa página).

ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Marca: Tescan
Modelo: Vega LMU

Resolução:
Modo alto vácuo (SE) = 3.0 nm em 30 kV e 8.0 nm em 3 kV
Modo baixo vácuo (BSE, LVSTD) = 3.5 nm em 30 kV

Pressão de vácuo:
Modo alto vácuo = < 9 x 10-3 Pa
Modo Single Vac = 30 ±10 Pa
UniVac = 7 a 500 Pa
Tempo de bombeamento após a troca do espécime: tipicamente < 3 minutos

Ampliação:
Contínua de 2X até 1.000.000X

Máximo campo de visualização:
7.7mm com WD de 10mm
Maior que 50mm com máximo

Tensão de aceleração:
200V ~ 30kV

Canhão de elétrons:
Catodo aquecido de tungstênio

Corrente na amostra:
1 pA ~ 2µA

Velocidade de varredura:
20 ns a 10 ms por pixel, ajustável em passos ou continuamente

Janela de foco:
Forma, tamanho e posição continuamente ajustáveis

Destaques de varredura:
Foco dinâmico, varredura ponto & linha, correção de inclinação, deslocamento e rotação, correção de deslocamento no modo de varreduras (DCFA)

Tamanho de imagem:
Até 16.384 x 16.384 pixels Proporção de tela de 4:3 e 2:1

Formatos de imagem:
BMP, TIFF, JPEG, GIF, PNG

Profundidade da Imagem:
Até 8 ou 16 bits por canal

Aquisição de imagens:
Até 8 canais podem ser adquiridos simultaneamente

Controle remoto:
Via TCP/IP

Processamento de dados:
Computador: Intel® Core i3-9100F Quad Core 3.60GHz, 2 X 4GB RAM Hyper Fury, SSD 500 GB, nVIDIA GT1030 2GB GDDR5, Windows 10 Pro 64-bit, Monitor QHD 32"

Formas de solicitação e agendamento

Para alunos e profissionais do IMT

O agendamento do MEV deverá ser realizado por este (https://form.jotform.com/220545584620050) formulário: Após preenchimento, aguarde a confirmação por e-mail da disponibilidade do técnico.

Para clientes e usuários externos

Para orçamento e agendamento, a solicitação deve ser feita enviando um e-mail para e mev@maua.br. No e-mail deverá conter uma descrição da amostra, forma que se encontra, qual é o tipo de material, o objetivo da análise e, em caso de análise de falhas, um breve histórico do ocorrido. Após a solicitação pelo e-mail, será enviada uma proposta comercial com a quantidade de horas de MEV estimas para realizar a análise e o preço final para realizar o trabalho. Após o aceite da proposta, o formulário de agendamento poderá ser preenchido.

Contato


Telefone: (11) 4239-3068 / (11) 4239-3017
Email: mev@maua.br